优纳瑞半导体申请ESD保护器件及其制备方法专利可将器件总寄生电容降至极低水平

　　国家知识产权局信息显示，深圳市优纳瑞半导体有限公司申请一项名为“一种ESD保护器件及其制备方法”的专利，公开号CN121335212A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，提出一种ESD保护器件及其制备方法。该器件包括绝缘体上硅基板、沟槽隔离结构、N型阱、P型阱、P+区、N+区、栅极氧化层和图形化电极层等结构，这些结构构成了二极管结构、SCR管结构和TVS管结构，并通过图形化电极层实现电连接。其中将器件的各个功能区进行三维电学隔离，消除了器件与衬底之间以及各功能区之间的大面积寄生结电容和衬底噪声耦合路径，可将器件总寄生电容降至极低水平。并且通过构造触发SCR管的耦合电容，当ESD脉冲施加时能够快速响应，从而能有效抑制ESD脉冲的初始尖峰，为后端核心电路提供了更低残压和更可靠的保护。

　　天眼查资料显示，深圳市优纳瑞半导体有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市优纳瑞半导体有限公司专利信息5条，此外企业还拥有行政许可2个。

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